پست الکترونیک: [ایمیل محافظت شده]

تلفن: +86 29 88244373

همه دسته بندی ها
EN
لیزر پرسرعت

لیزر پرسرعت

صفحه اصلی> محصولات > لیزر پرسرعت

محصولات

NY13D 1
NY13D 7
NY13D 6
NY13D 5
NY13D 4
NY13D 3
NY13D 2
NY13D 1
NY13D 7
NY13D 6
NY13D 5
NY13D 4
NY13D 3
NY13D 2

ماژول لیزر مایکروویو DFB 13 نانومتری LK-NY1310D

  • برد دینامیکی بالا
  • پهنای باند 18 گیگاهرتز
  • جریان آستانه پایین
  • توان خروجی بالا
  • بسته پروانه ای 7 پین با کانکتور SMA
  • دمای کیس عملیاتی: -40 تا 70 ℃
  • قابلیت اطمینان پیشرفته
درخواست

+86 29 88244373

توضیحات محصول

ماژول LK-NY13D لیزر DFB است که به طور مستقیم مدوله می شود و عملکرد برتر را برای سیستم های ارتباطی فیبر نوری خطی با نیازهای پهنای باند گسترده ارائه می دهد. لیزرهای LK-NY13D نسبت به سیستم های کابل کواکسیال برای انتقال سیگنال های فرکانس بالا مانند 12 گیگاهرتز یا 18 گیگاهرتز انتخاب برتری هستند.

این لیزرها قابلیت اطمینان شبکه های ارتباطی مایکروویو را با اطمینان از انتقال سیگنال RF به شکل اصلی خود افزایش می دهند. با توجه به این ویژگی ها، لیزرهای LK-NY13D به طور قابل توجهی کیفیت سیگنال را در طیف گسترده ای از کاربردها، شامل سیستم های آنتن از راه دور، تله متری، توزیع سیگنال های زمان بندی و مرجع، و همچنین کاربردهای خط اندازه گیری و تاخیر، افزایش می دهند.

لیزرهای LK-NY13D دارای اجزای یکپارچه ای مانند جداکننده نوری، خنک کننده ترموالکتریک (TEC)، ترمیستور، تراشه دیود لیزری و فتودیود مانیتور هستند که همه آنها در یک بسته پروانه ای 7 پین مهر و موم شده اند تا از محافظت هرمتیک اطمینان حاصل شود. .

مشخصات فنی
اعتبار حداکثر مطلق
پارامتر آیکون حداقل. حداکثر واحد
جریان رو به جلو دیود لیزر If - 120 mA
ولتاژ معکوس دیود لیزر V - 1 V
قدرت جلو Pf - 20 DBM
ولتاژ معکوس PD V - 15 V
جریان رو به جلو (PD) Im - 2 mA
دمای عملیات To -40 70+ ° C
دمای ذخیره سازی Ts -55 85+ ° C
رطوبت نسبی ذخیره سازی Sr - 85 %
مشخصات نوری و الکتریکی (Tc=25°C)
پارامتر آیکون شرایط آزمایشی دقیقه نوع حداکثر واحد توجه داشته باشید:
طول موج λ IF = منOP، T = TOP - 1310 - nm  
فرکانس - گزینه X 0.1 - 12 گیگاهرتز -
گزینه Ku 1 - 18
توان خروجی نوری P IF=Iop - 10 - mW 1
جریان ترشولد Ith λ=1310 نانومتر - - 10 mA -
عملیات فعلی Iop λ=1310 نانومتر - 55 100 mA -
ولتاژ بهره برداری Vop λ=1310 نانومتر - 1.5 2.5 V -
بهره وری شیب SE - 0.2 - - W / A -
نسبت سرکوب حالت جانبی SMSR λ=1310 نانومتر، IF=Iop 30 - - dB -
شدت نسبی سر و صدا RIN - - - -130 دسی بل / هرتز -
پهنای باند (-3dB، I=60mA) S21 گزینه X - 12 - گیگاهرتز -
گزینه Ku - 18 -
ضرر برگشتی (VSWR) VSWR گزینه X - - 2 dB -
گزینه Ku - - 2.2
فشرده سازی ورودی 1 دسی بل - - 15 - - DBM -
مقاومت ترمیستور Rth @25℃ - 10 - کوهم -
جریان TEC It - - - 1.2 A 2
ولتاژ TEC Vt   - - 2.5 V 2
ظرفیت (PD) Ct   - - 20 pF -
جریان مانیتورینگ Im - 0.10 - 2.0 mA -
جریان تاریک (PD) Id   - - 50 nA -

یادداشت: تمام تراشه‌های لیزری از ویفرهایی می‌آیند که با استفاده از تعداد زیادی از دستگاه‌هایی که باید به بازده قابل قبولی برای سوختن دست یابند، تأیید شده‌اند.

1. تنظیم دمای لیزر 25 ℃، جریان بایاس در 55 میلی آمپر

2. دمای مورد عملیات -40~70℃


● داده های معمولی

(λ=1310 نانومتر، TC =25 ℃)

(شکل 1 داده های باند S11 و S22 X)

(شکل 2 داده Ku- Band S11 و S22)


● شماتیک برق

سرب# عملکرد
1 ترمیستور
2 ترمیستور
3 LD- (تعصب)
4 PD+
5 PD-
6 خنک کننده +
7 خنک کننده-
8 LD-(RF)
9 زمین

● طرح‌های کلی (واحد: میلی‌متر[اینچ])


کانکتور RF: SMA


● اطلاعات سفارش

ورق 1：

رمز طول موج معمولی
13 بسته پروانه ای 1310 پین 7 نانومتری

ورق 2：

رمز پهنای باند آنالوگ
X 0.1 ～ 12 گیگاهرتز
Ku 1 تا 18 گیگاهرتز

ورق 3:

رمز نوع رابط سخن گفتن
A FC / APC تک حالته 9 / 125 میکرومتر فیبر پیگتیل، 0.9 میلی متر، طول 1 متر
S SC / APC
N اتصال دهنده وجود ندارد

● اقدامات احتیاطی

  • شعاع خمش فیبر کمتر از 20 میلی متر برای جلوگیری از آسیب دیدن فیبر.

  • قبل از وصل کردن آن به مدار نوری، از تمیز بودن صفحه کوپلینگ فیبر اطمینان حاصل کنید.

  • حفاظت ESD مناسب در ذخیره سازی، حمل و نقل و استفاده مورد نیاز است.

اپلیکیشن‌ها

  • ارتباطات داده با سرعت بالا

  • آنتن از راه دور

  • شبکه های سلولی و PCS

  • انتقال پیوندهای RF آنالوگ

  • ارتباطات نظامی

  • ردیابی، تله متری و کنترل

  • سیستم های تله متری

محصولات مرتبط
درخواست